スプレー方式エッチング関連装置

回路形成技術で水平搬送によるスプレー方式の装置は一般的で汎用性を以って幅広く使用されています。 当社はこの技術に関して搬送ローラーの新構成を開発し薄板量産機及び均一性向上対応装置として販売しています。

各種主要装置:

  1. ハーフエッチング装置
  2. ITOエッチング剥離装置
  3. FPCエッチング剥離装置
  4. 超音波洗浄装置

真空方式エッチング装置(スーパーエッチング)

ワークの上・下面のばらつきを解決するために、ドイツPILL社で発明された真空方式を導入し、当社で改良を加えたものを『スーパーエッチング』として提供しております。今日、その高い性能を認められて広く採用されています。特に、上・下面の均一化、エッチングスピードの高速化、精細加工などが高く評価されています。

エッチング装置での長年の課題は、エッチングする基板の上面にエッチング液の溜まりができ、上面のみエッチングが進行しないという現象でした。真空エッチング方式とは、エッチング液の循環経路にベンチュリー効果により負圧を作り出し、この負圧によってエッチング液の溜まりを吸い込んで排除するというものです。

ケミトロンはこの技術と、以前から培ってきた精密搬送技術を融合させ、『スーパーエッチング』として結実させたのです。

この写真の例では、以下のとおりです。

生産量 50,000 m2/月
基板寸法 510X610 mm
板厚 60μm(コア)~2.4 mm
銅厚 40 μm
L/S 50/50 μm

二流体方式エッチング装置(ハイパーエッチング)

ユーザーのさらなる要求に応えるため、スーパーエッチングを超える性能を求め、真空方式に二流体ノズルを融合させた新技術を開発し、『ハイパーエッチング』と名付けました。

従来の、エッチング液だけを噴射するノズルとは違い、エアーとエッチング液の二つの流体により、噴射をおこなう二流体ノズル(アトマイザーノズル)を用いることにより、非常に微細な液滴を噴射することができるようになりました。微細回路向きの技術です。

CSP用基板などのパッケージ基板のような、真空方式(スーパーエッチング)よりもさらに高精細加工を要求するユーザーで採用されています。

この写真の例では、以下のとおりです。

装置全長 36m
基板寸法 530X630 mm
板厚 最小40μm(コア)
銅厚 18 μm
L/S 20/20 μm

ケミトロンのエッチング装置の性能比較

項目 従来方式 スーパーエッチング
(SE)
ハイパーエッチング
(HE)
面内均一性
(上面)
ハーフエッチング 対エッチング量 ±12~23% ±5% ±5%
パターンエッチング 18 μm Cu, L/S=30/30 σ≤4.0 σ≤2.0 σ≤1.5
35 μm Cu, L/S=75/75 σ≤5.0 σ≤3.0 σ≤3.0
エッチファクター
(上面中央部)
ジャスト~20%オーバーエッチング
18 μm Cu, L/S=30/30 2.0~2.5 3.0~4.0 4.5~5.0
35 μm Cu, L/S=75/75 2.5~4.0 4.5~6.0 5.5~6.5
銅厚と最小L/S
(上面)
E/F 3.0以上
18 μm Cu L/S=50/50 L/S=25/25 L/S=20/20
35 μm Cu L/S=70/70 L/S=40/40 L/S=40/40
70 μm Cu L/S=100/100 L/S=80/80 L/S=80/80
基板搬送性 40 μmコア 40 μmコア 40 μmコア
エッチレイト (基準) 1.2~1.3倍

ディップ式現像装置

DFRパターンのダメージ防止

微細配線になると、搬送ローラーの負荷により、ドライフィルムフォトレジスト(DFR)パターンが潰れることがあります。

  1. セミアディティブ法では断線の原因になります。
  2. サブトラクティブ法ではショートの原因になり、ハイパーエッチング装置と組み合わせることでいっそうの効果を発揮します。

DFRダメージ発生の比較